ภาพรวมของตัวเก็บประจุประเภทต่างๆ

1. ตัวเก็บประจุโพลีโพรพีลีน (CBB)

ความจุเล็กน้อย: 1000pf - 10μf

คะแนนแรงดันไฟฟ้า: 63V - 2000V

ลักษณะเฉพาะ: ฟิล์มโพลีโพรพีลีนที่เป็นโลหะ, การสูญเสียต่ำที่ความถี่สูง, การเพิ่มขึ้นของอุณหภูมิต่ำโดยเนื้อแท้, การเคลือบด้วยผงอีพ็อกซี่ที่มีเปลวไฟ (UL94/V-0)

แอปพลิเคชัน: ใช้แทนตัวเก็บประจุสไตรีนหรือไมกาในวงจรความต้องการสูง

อเนกประสงค์ ตัวเก็บประจุมีคุณสมบัติดังต่อไปนี้: ความเสถียรสูงความสอดคล้องสูงความคุ้มค่าเวลานำสั้นและตัวเลือกการปรับแต่ง ด้วยความเชี่ยวชาญกว่า 25 ปีในตัวเก็บประจุภาพยนตร์เรามีประสบการณ์การใช้งานผลิตภัณฑ์ที่กว้างขวาง

2. ตัวเก็บประจุเซรามิก

กระบวนการผลิต: ชั้นโลหะเงินถูกชุบทั้งสองด้านของแผ่นเซรามิกบาง ๆ

ข้อดี: ขนาดกะทัดรัดความต้านทานความดันสูงค่าใช้จ่ายต่ำมีลักษณะความถี่สูงที่ยอดเยี่ยม (บางรุ่นได้รับการออกแบบมาโดยเฉพาะสำหรับการใช้งานความถี่สูง) ตัวเก็บประจุเซรามิกทำงานได้ดีในวงจรความถี่สูง แต่มีความจุสูงสุดเพียง0.1μF พวกเขาเป็นตัวเก็บประจุเซรามิกชนิดหนึ่ง

ข้อเสีย: ความแข็งแรงเชิงกลต่ำมีแนวโน้มที่จะแตกร้าวและความจุที่ค่อนข้างเล็ก

แอปพลิเคชัน: ความผันผวนความถี่สูงวงจรเรโซแนนท์การแยกและระบบเสียง

3. ตัวเก็บประจุเสาหิน (ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น, MLCC)

ขนาดเล็กกว่าเมื่อเทียบกับตัวเก็บประจุ CBB ที่มีลักษณะคล้ายกัน แต่มีปฏิกิริยาการอุปนัยบางอย่าง

ใช้: ใช้กันอย่างแพร่หลายในเครื่องมืออิเล็กทรอนิกส์ที่มีความแม่นยำอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ขนาดเล็กสำหรับการสั่นพ้องการมีเพศสัมพันธ์การกรองและการข้าม ยังใช้ในสัญญาณอะนาล็อก/ดิจิตอลบายพาสและการกรองรวมถึงอุปกรณ์เสียง สามารถแลกเปลี่ยนกับตัวเก็บประจุ CBB ในแอพพลิเคชั่นที่ไม่ได้รับความแม่นยำ

คุณสมบัติ: ความเสถียรสูงสัมประสิทธิ์อุณหภูมิต่ำความจุสูงถึง1μFอายุการใช้งานยาวความต้านทาน DC ที่เทียบเท่ากันต่ำ แต่ราคาสูงกว่าเล็กน้อย

ข้อเสีย: ค่าสัมประสิทธิ์อุณหภูมิที่ใหญ่ขึ้นอาจทำให้เกิดความถี่ในวงจรการสั่น

การจำแนกประเภท:

ประเภทที่ 1: ประสิทธิภาพที่ยอดเยี่ยม แต่ความจุขนาดเล็ก (โดยทั่วไป <0.2μf)

ประเภท II: ความจุที่ใหญ่กว่า แต่ประสิทธิภาพที่ต่ำกว่าเล็กน้อย

4. ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรไลต์

ความจุเล็กน้อย: 0.47μf - 1000000μf

คะแนนแรงดันไฟฟ้า: 6.3V - 450V

ลักษณะเฉพาะ: ขนาดกะทัดรัดที่มีความจุขนาดใหญ่ แต่การสูญเสียและกระแสรั่วไหลที่สูงขึ้น

แอปพลิเคชัน: การกรองแหล่งจ่ายไฟ, การมีเพศสัมพันธ์ความถี่ต่ำ, decoupling และบายพาส

5. ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลติกแทนทาลัม (CA) และตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลติกไนโอเบียม (CN) (CN)

ความจุเล็กน้อย: 0.1μf - 1000μf

คะแนนแรงดันไฟฟ้า: 6.3V - 125V

ลักษณะเฉพาะ: การสูญเสียและกระแสรั่วไหลลดลงเมื่อเทียบกับตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อลูมิเนียม

แอปพลิเคชัน: ใช้ในวงจรที่มีความแม่นยำสูงเพื่อทดแทนตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อลูมิเนียม

ตัวเก็บประจุเสาหินและเซรามิกไม่ใช่ขั้ว (ไม่มีขั้วบวก/ลบ) มีเพียงตัวแปรอิเล็กโทรไลต์เท่านั้นที่มีขั้วที่ทำเครื่องหมายด้วย "" หรือ "-" บนปลอก ในอดีตตะกั่วที่ยาวขึ้นระบุเทอร์มินัลบวก แต่วิธีนี้ล้าสมัยและไม่ได้ใช้อีกต่อไป

ข้อควรพิจารณาในการออกแบบ:

1. การเชื่อมต่อซีรีส์ของตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลติก: ต้องเพิ่มตัวต้านทานการปรับสมดุลเพื่อให้แน่ใจว่าแรงดันไฟฟ้าในตัวเก็บประจุแต่ละตัวยังคงอยู่ในช่วงที่กำหนด

2. การออกแบบช่องระบายอากาศระเบิด: ไม่ควรร่องรอยเหนือช่องระบายอากาศของตัวเก็บประจุบน PCB และต้องมีการดูแลรักษา≥2mm

3. ความเสี่ยงด้วยอิเล็กโทรไลต์: อิเล็กโทรไลต์ติดไฟและนำไฟฟ้าได้ การติดต่อกับร่องรอย PCB อาจทำให้เกิดการกัดกร่อนนำไปสู่การลัดวงจรหรือ FIR es. ดังนั้นจึงไม่ควรวางร่องรอยไว้ใต้ตัวเก็บประจุ

4. การแยกแหล่งความร้อน: หลีกเลี่ยงการวางส่วนประกอบที่สร้างความร้อนใกล้หรือโดยตรงภายใต้ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์

5. ขั้วตัวเก็บประจุ: ตัวเก็บประจุอิเล็กโทรไลต์อลูมิเนียมมีขั้ว - แรงดันไฟฟ้าย้อนกลับหรือแรงดันไฟฟ้ากระแสสลับจะต้องไม่ถูกนำไปใช้ ใช้ตัวเก็บประจุที่ไม่ใช่ขั้วในวงจรที่อาจเกิดแรงดันไฟฟ้าย้อนกลับ

6. การเลือกตัวเก็บประจุ: สำหรับแอปพลิเคชันการชาร์จ/การปลดปล่อยอย่างรวดเร็วหลีกเลี่ยงตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรไลต์ ใช้ตัวเก็บประจุที่ออกแบบมาเป็นพิเศษพร้อมอายุการใช้งานที่ยาวขึ้น